1. 产品概述

Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸减压选择性外延系统，多区红外加热协同激光微区补偿，温场均匀可控。

2. 设备用途/原理

Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸减压选择性外延系统，多区红外加热协同激光微区补偿，温场均匀可控，高精度温控系统设计，工艺稳定性及重复性可控优良，主、辅助、交叉气路配合气流场设计及优良的压力控制系统，气流场均匀可控，高效传输Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸减压选择性外延系统，多区红外加热协同激光微区补偿，温场均匀可控 算法，腔室利用率 >99.8%。

3. 设备特点

晶圆尺寸 12 英寸，适用材料 硅，适用工艺 锗硅、磷硅、硅选择性减压外延，适用域 科研、集成电路。百科：‌减压外延‌是一种在低于一个大气压下进行化学气相外延的方法，主要用于硅外延。其特点包括：‌自掺杂效应减少‌：减压外延可以减少自掺杂效应，提高外延层的纯度。‌过渡层厚度缩小‌：此方法有助于缩小过渡层的厚度，提高外延层的质量。‌外延层均匀性改善‌：能够改善外延层的厚度与电阻率的均匀性，提高材料的性能一致性。‌埋层图形漂移减轻或排除‌：可以减轻或排除埋层图形的漂移，保持材料的稳定性。‌使用要求‌：根据衬底与外延层的掺类与浓度、器件的要求，使用的压力一般在(1.3−26)×10−7Pa(1.3−26)×10 −7 Pa范围内。这要求设备具有较高的技术规格，包括高频或辐射加热、气路系统及相应的自动化系统以保持相应的压力，以及需要更大的排气量的真空系统。‌应用领域‌：减压外延已用于超大规模集成电路用外延片的生产，以及选择外延等特殊工艺，显示了其在微电子领域的重要应用价值。减压外延系统的这些特点使其成为制备高质量半导体材料的重要技术之一，特别是在需要高纯度、高性能材料的优良电子器件制造中发挥着关键作用‌。