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Hesper I E430R 12英寸单片减压硅外延系统
- 型号
- Hesper I E430R
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详细信息
1. 产品概述
Hesper I E430R 12英寸单片减压硅外延系统，优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能。
2. 设备用途/原理
Hesper I E430R 12英寸单片减压硅外延系统：优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能，高效传输设计，可提高产能，单、双、四腔兼容设计，可满足不同客户需求。
3. 设备特点
晶圆尺寸 12 英寸，适用材料 硅，适用工艺 埋层外延、选择性外延 、多晶外延，适用域 科研、集成电路。百科知识；减压硅外延系统的工作原理主要涉及在氢等离子体原位清洁过的硅衬底表面上，利用减压（200～250乇）工艺在980～1000℃的温度下生长出高质量的外延层。这一过程不仅优化了外延层的生长条件，还显著提高了外延层的结晶质量。具体来说，通过减压工艺，可以减小衬底-外延层界面的掺杂浓度过渡区，从常压时的1.0μm减小到0.4μm，同时电阻率和厚度的不均匀性分别小于5%和4%。
