1 产品概述:

   干法刻蚀是一种利用物理或物理与化学相结合的方法，通过高能气体分子或离子束轰击固体表面，使材料发生化学反应或物理溅射，从而去除不需要的部分，实现高精度的加工过程。干法刻蚀在半导体制造、微纳加工、光学加工等领域具有广泛应用，是芯片制造中的关键技术之一。

2 设备用途：

干法刻蚀设备主要用于以下领域：

1. 半导体制造：在半导体芯片制造过程中，干法刻蚀被用于去除硅片表面的多余材料，形成精确的电路图形。这是半导体制造工艺中的关键环节之一，直接影响芯片的性能和良率。

2. 微纳加工：干法刻蚀机在微纳加工中扮演着重要角色，能够制作出微米和纳米级别的精细结构，如微型天线、纳米光子晶体、微结构电极等。

3. 光学加工：在光学领域，干法刻蚀机被用于制作高精度、高质量的光学元件，如微型透镜、激光反射面、偏振器件、光通讯器件等。

3 设备特点

干法刻蚀设备具有以下特点：

1. 高精度：干法刻蚀能够实现微米甚至纳米级别的加工精度，满足高精度加工的需求。

2. 高选择比：干法刻蚀在刻蚀过程中能够精确控制不同材料的刻蚀速率，实现高选择比刻蚀，减少对其他材料的损伤。

3. 各向异性好：干法刻蚀技术能够产生垂直度高的侧壁，有利于形成精确的图形结构。

4. 刻蚀损伤小：相比湿法刻蚀，干法刻蚀在刻蚀过程中产生的损伤较小，有利于保护底层材料。

4 技术参数和特点：

4inch晶圆可放置7片同时处理，6inch晶圆可实现3片同时处理，小尺寸晶圆方面，2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理。

•搭载了在化合物半导体域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP（ISM）高密度等离子源。

•高生产性（比以提高140%）。

•为防止RF投入窗的污染搭载了爱发科星型电。

•贯彻Depo对策，实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件。

•拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术（GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体）。