原子层刻蚀通常包括4个步骤的周期，根据需要可重复多次，以达到所需的刻蚀深度。以下是使用 Cl2/Ar进行AlGaN刻蚀的ALE示例：

步骤 1) 对基底进行刻蚀气体的投放，刻蚀气体吸附在刻蚀材料上并与之发生反应。通常，刻蚀气体经等离子体解离以增强吸附速率。通过正确选择投放气体和参数，这个步骤可以实现自限制，即在吸附一层分子后化学投放停止。

步骤 2) 清除所有剩余的投放气体

步骤 3) 用低能惰性离子轰击表面，去除已发生反应的表面层。如果离子的能量足以去除化学修饰层，但不足以（溅射）刻蚀下层块状材料，这可能是自限制。

步骤 4)清除腔室内的刻蚀产物。

原子层刻蚀的优势

• 采用低离子能量，刻蚀损伤小

• 精确控制刻蚀深度

• 超薄层去除

• 自限制行为

• 选择性高，因为可对剂量气体和离子能量进行定制，以尽量减少对掩膜层或底层材料的刻蚀

• 刻蚀速率受刻蚀特征长宽比的影响较小（即减少ARDE），因为自由基的供应和表面离子轰击已分成独立的步骤

• 由于具有自限性，均匀性得到改善

• 刻蚀表面光滑

• 由于依赖离子轰击，因此具有各向异性