低损伤蚀刻

由于离子能量低且离子能量分布窄，因此可以使用SENTECH电感耦合等离子体（ICP）蚀刻工具进行低损伤蚀刻和纳米结构。

简单的高速率蚀刻

使用室温交替工艺或低温工艺实现光滑侧壁，可以很容易地使用高纵横比的 MEMS 的 Si 进行高速等离子体蚀刻。

SENTECH专有的等离子体源技术

SENTECH平面三重螺旋天线（PTSA）等离子体源是一种等离子体处理系统功能。PTSA 源产生具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体，适用于传感器、量子点和 HEMT 的低损伤蚀刻。它具有高耦合效率和非常好的点火性能，适用于处理各种材料和结构。

动态温度控制

等离子体蚀刻过程中的衬底温度设置和稳定性是高质量蚀刻的严格标准。具有动态温度控制功能的衬底电极与氦气背面冷却和衬底背面温度传感相结合，可在很宽的温度范围内提供出色的工艺条件。化合物半导体中的凹槽和台面蚀刻等应用展示了最佳的工艺控制，这对于高器件性能是必要的。