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LMEC-300 12英寸特种金属膜层刻蚀设备

型号
LMEC-300
深圳市矢量科学仪器有限公司

中级会员3年 

经销商

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深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。

致力于提供半导体前道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。

公司目前已授实用新型权利 29 项,软件著作权 14 项,是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

 

 

 

 

 

 

 

 

详细信息

1. 产品概述

LMEC-300™ 是鲁汶仪器针对特种金属膜层刻蚀而推出的 12 英寸集成设备,应用于新兴存储器件的制备。此类器件的核心功能单元含有成分复杂的金属叠层,例如磁存储器的磁隧道节(MTJ)、相变存储器中的合金相变层、阻变存储器中的阻变叠层。其副产物不易挥发,图形化挑战很大。 LMEC-300™ 反应离子刻蚀与离子束刻蚀协同工艺,可规避 RIE 路径的侧壁沾污问题,也可突破 IBS 路径的工艺线宽局限。薄膜沉积腔室可以不脱离真空环境为器件覆盖钝化层,避免侧壁金属氧化、水化,从而改善可靠性。这种 RIE、IBS与原位钝化工艺集成方案,使 LMEC-300™ 成为新兴存储器件关键工艺的优选。

2. 系统特性

设备集成了 Chimera® N 反应离子刻蚀(RIE)腔室、Pangea® A 离子束塑形(IBS)腔室、Basalt® A 原位(in-situ)沉积腔室,工艺不离开真空环境

对于磁隧道结等难于形成挥发性产物的金属/合金叠层,该设备可实现等离子体刻蚀、干法清洗和原位钝化保护的功能

可提供不同工艺解决方案,满足磁存储器(MRAM)、相变存储器(PCRAM)、阻变存储器(ReRAM)、磁传感器等器件的图形化需求

可选配硬掩模刻蚀腔室 Chimera® A,形成从金属硬掩模到器件功能层的一体化刻蚀方案

适用于12英寸晶圆


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