1. 产品概述：

Herent® Chimera® A 金属硬掩膜刻蚀设备，为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300™ 设备的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。

12英寸硬掩膜刻蚀设备

2. Herent® Chimera® A系统特性

Herent® Chimera® A 金属硬掩膜刻蚀设备是面向 12 英寸集成电路制造的量产型设备

设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）及传输模块（transfer module）构成

适用于 55 纳米及其它技术代的 TiN 等硬掩膜刻蚀工艺

为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300™ 设备的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。