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PlasmaPro 100 Cobra ICP 电感耦合等离子体刻蚀
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- PlasmaPro 100 Cobra ICP
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详细信息
1. 产品概述
PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺，适用于大尺寸为200毫米的晶圆，支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场域。
高刻蚀速率和高选择性
低损伤刻蚀和高可重复性加工
单晶圆装载锁定或可与多达5个工艺模块集群
He背面冷却，以实现佳温度控制
宽温度范围电，-150°C至400°C
与所有大尺寸为200毫米的晶圆兼容
晶圆尺寸之间的快速转换
原位腔室清洁和终点控制功能
2. 特色参数
PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺，适用于大尺寸为200毫米的晶圆，支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场域。
晶圆尺寸：大可达200mm
ICP源尺寸可选：65mm和300mm
温度范围：从-150°C到400°C
集群：多达5个模块，包括 ALD、PECVD、离子束刻蚀和离子束沉积等技术
