反应离子刻蚀系统RIE600W是一款进口等离子体反应离子蚀刻机,用于各向同性蚀刻,蚀刻氧化物、氮化物、聚合物等薄膜。等离子体蚀刻系统可容纳直径达200mm的晶片样品。我们的定制的反应离子刻蚀系统可根据几何形状和研究需要处理各种样品尺寸。
反应离子刻蚀系统可以手动或PC控制，可以是桌面或独立机柜系统。
反应离子刻蚀系统RIE600W用于各向同性蚀刻材料，包括金属氧化物、硅和微电子器件。配有自动匹配网络和腐蚀性气体的全功率600瓦射频电源可对各种材料产生10°/s的蚀刻速率。
反应离子刻蚀系统RIE600W自动射频功率控制确保了手动射频功率控制无法实现的过程的一致再现。RIE600涡轮分子阻力泵系统可达到10-5Torr的基本压力。这种低真空在开始每个过程之前消除杂质。这是新蚀刻工艺所必需的。
反应离子刻蚀系统特点
紧凑的桌面设计，适用于样品的各向同性蚀刻（20英寸x 24英寸的占地面积）
带顶部开口的铝或不锈钢腔室（蛤壳式）
腔室上的小视图端口
水冷6''晶片/样品台（最多可容纳一个6''晶片）
蚀刻/清洁的均匀性（在6''晶片上小于5%）
带匹配网络的射频电源
匹配双级旋转叶片泵的涡轮分子真空泵系统
用于工艺气体的带数字读数的质量流量控制器
定制一体式气体淋浴器
带数字显示和读数的真空计（测量至0.1mTorr）
半自动控制系统