850 SOI的自动化生产键合系统适用于多种融合/分子晶圆键合应用。SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产粘合系统，SOI粘合的所有基本步骤-从清洁和对准到预粘合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。 EVG850是在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。

850 SOI的自动化生产键合系统特征

生产系统可在高通量，高产量环境中运行     

自动盒带间或FOUP到FOUP操作

无污染的背面处理                      

超音速和/或刷子清洁

机械平整或缺口对齐的预粘合            

先进的远程诊断

技术数据

晶圆直径（基板尺寸）：100-200、150-300毫米

对齐类型：平面到平面或凹口到凹口

对准精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°

结合力：高5 N

键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活

真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件）

清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）

腔室：由PP或PFA制成（可选）

清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（大）。 2％浓度（可选）

旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成

旋转：高3000 rpm（5 s）

清洁臂：多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）

可选功能：ISO 3迷你环境（根据ISO 14644）；  LowTemp™等离子活化室