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NE-550NLD-5700 对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置

型号
NE-550NLD-5700
参数
产地类别:进口 价格区间:150万-200万 应用领域:电子
北京亚科晨旭科技有限公司

中级会员6年 

生产厂家

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半导体设备,微组装设备,LTCC设备,化工检测设备

公司自成立以来就一直专注于半导体、微组装和电子装配等领域的设备集成和技术服务;目前公司拥有一支在半导体制造、微组装及电子装配等领域经验丰富的专业技术团队,专业服务于混合电路、光电模块、MEMS、先进封装(TSV、Fan-out等)、化合物半导体、微波器件、功率器件、红外探测、声波器件、集成电路、分立器件、微纳等领域。我们不仅能为客户提供整套性能可靠的设备,还能根据客户的实际生产需求制订可行的工艺技术方案。
目前亚科电子已与众多微电子封装和半导体制造设备企业建立了良好的合作关系(如:BRUKER、EVG、TRYMAX、CAMTEK、CENTROTHERM、SENTECH、ENGIS、ADT、SONOSCAN、ASYMTEK、MARCH、PANASONIC、HYBOND、OKI、KEKO等),为向客户提供先进的设备和专业的技术服务打下了坚实基础。

 

详细信息

量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800

 

量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800是可以对应单腔及多腔、重视性价比拥有扩展性的刻蚀设备。

 

产品特性 / Product characteristics

 除单腔之外,另可搭载有磁场ICP(ISM)或NLD等离子源、去胶腔体、CCP腔体等对应多种刻蚀工艺。

为实现制程再现性及安定性搭载了星型电极及各种调温技能。

拥有简便的维护构造,实现downtime短化,提供清洗、维护及人员训练服务等综合性的售后服务体制。

专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。

 

产品应用 / Product application

化合物(LED或LD、高频器件)或Power device(IGBT配線加工、SiC加工)。

金属配线或层间绝缘膜(树脂类)、门电极加工工艺

强电介质材料或贵金属刻蚀。

磁性体材料加工。

 

 

高密度等离子刻蚀装置ULHITETM NE-7800H

 

高密度等离子客户装置ULHITE NE-7800H是对应刻蚀FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高难度刻蚀材料(强电介质层、贵金属、磁性膜等)的Multi-Chamber型低压高密度等离子刻蚀设备。

 

 

产品特性 / Product characteristics

有磁场ICP(ISM)方式-可产生低圧・高密度plasma、为不挥发性材料加工的设备。

可提供对应从常温到高温(400ºC)的层积膜整体刻蚀、硬掩膜去除的刻蚀解决方案。

通过从腔体到排气line、DRP为止的均匀加热来防止沉积物。

该设备采用可降低养护清洗并抑制partical产生的构造和材料及加热机构,是在不挥发性材料的刻蚀方面拥有丰富经验的量产装置。

实现了长期的再现性、安定性

 

产品应用 / Product application

   FeRAM, MRAM, ReRAM, CBRAM, PcRAM等.

 

 

研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570

 

研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570,是搭载了爱发科独chuang的磁性中性线(NLD- neutral loop discharge)等离子源的装置,此NLD技术可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子。

 

产品特性 / Product characteristics

   NLD用于与ICP方式相比更低压、高密度、更低电子温度等离子体的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。

 高硬玻璃、硼硅酸玻璃等不纯物的多种玻璃加工,在形状或表面平滑性方面有优异的刻蚀性能。

 石英及玻璃作为厚膜resist mask时的也可实现深度刻蚀(100μ m以上)。

 可实现高速刻蚀(石英>1μ m/min、Pyrex>0.8μ m/min)

 可追加cassette室。

 

产品应用 / Product application

  光学器件(光衍射格子、変调器、光开关等等)、凹凸型微透镜。流体路径作成或光子学结晶。

 

 

干法刻蚀设备 APIOS NE-950EX

对应LED量产的干法刻蚀设备「NE-950EX」相对我司以往设备实现了140%的生产力。是搭载了ICP高密度等离子源和爱发科独自开发的星型电极的干法刻蚀设备。

 

产品特性 / Product characteristics

  4inch晶圆可放置7片同时处理,6inch晶圆可实现3片同时处理,小尺寸晶圆方面,2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理。

 搭载了在化合物半导体领域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP(ISM)高密度等离子源。

 高生产性(比以前提高140%)。

  为防止RF投入窗的污染待在了爱发科独自开发的星型电极。

 *贯彻Depo对策,实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件。

 拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术(GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体)。

 丰富的可选机能。

 

产品应用 / Product application

对应LED的GaN、蓝宝石、各种金属、ITO等的干法刻蚀设备

 

对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700

 

对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700是搭载了磁性中性线(NLD- neutral loop discharge)等离子源的量产用干法刻蚀装置。(此爱发科独chuang的NLD技术设备可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子)

 

产品特性 / Product characteristics

 •      在洁净房内作业可扩张为双腔。(可选配腔室:NLD、有磁场ICP、CCP或者去胶室)

NLD为时间空间可控的等离子,因此设备干法清洁容易。

腔体维护简便。

从掩模刻蚀到石英、玻璃刻蚀,可提供各类工艺解决方案。

专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。

 

产品应用 / Product application

光学器件(折射格子、光波导、光学开关等等)、凹凸型微透镜。

流体路径作成或光子学结晶。

 

 

批处理式自然氧化膜去除设备 RISE-300

批处理式自然氧化膜去除设备RISETM-300是用于去除位于LSI的Deep-Contact底部等难以去除的自然氧化膜的批处理式预清洗装置。可处理200mm,300mm尺寸晶圆。

 

产品特性 / Product characteristics

高产率以及低CoO

良好的刻蚀均一性(小于±5%/批)和再现性

干法刻蚀

Damage-Free(远端等离子、低温工艺)

自对准接触电阻仅为湿法的1/2

灵活的装置布局

高维护性(方便的侧面维护)

300mm晶圆批处理:50枚/批

 

产品应用 / Product application

自对准接触形成工艺前处理

电镀工艺前处理

晶膜生长前处理

Co/Ni自对准多晶硅化物的前处理

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产品参数

产地类别 进口
价格区间 150万-200万
应用领域 电子
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