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IH-860DSIC SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC
- 型号
- IH-860DSIC
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公司自成立以来就一直专注于半导体、微组装和电子装配等领域的设备集成和技术服务；目前公司拥有一支在半导体制造、微组装及电子装配等领域经验丰富的专业技术团队，专业服务于混合电路、光电模块、MEMS、先进封装（TSV、Fan-out等）、化合物半导体、微波器件、功率器件、红外探测、声波器件、集成电路、分立器件、微纳等领域。我们不仅能为客户提供整套性能可靠的设备，还能根据客户的实际生产需求制订可行的工艺技术方案。
目前亚科电子已与众多微电子封装和半导体制造设备企业建立了良好的合作关系（如：BRUKER、EVG、TRYMAX、CAMTEK、CENTROTHERM、SENTECH、ENGIS、ADT、SONOSCAN、ASYMTEK、MARCH、PANASONIC、HYBOND、OKI、KEKO等），为向客户提供先进的设备和专业的技术服务打下了坚实基础。
详细信息
离子注入设备
SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC
搭载了高温ESC（静电吸附卡盘）的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。
产品特性 / Product characteristics
• 可实现自动连续高温处理注入
• 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV
（Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）
• 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能；
（A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）
• 可减轻操作员的负担
• 紧凑式设计
• 可大范围对应从试作到量产的各类需求
产品应用 / Product application
• 对应SiC的离子注入装置。
研究开发用中电流离子注入设备IMX-3500
中电流离子注入装置IMX-3500为大能量200keV、对应大晶圆尺寸8inch的离子注入装置，适用于大学等机构的研究开发。
产品特性 / Product characteristics
• 大晶圆尺寸8inch，搭载了可对应不定形基板的台板。
• 离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。
• HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。
产品应用 / Product application
• 教育、研究开发等
高能对应离子注入设备SOPHI-400
大可对应至2400KeV的高能离子注入装置。
产品特性 / Product characteristics
• 枚叶式
• 可对应薄片Wafer
• 平行Beam
产品应用 / Product application
• 功率器件相关薄片基板工艺、IGBT工艺
可对应低速高浓度的离子注入设备SOPHI-30
低加速、高浓度对应的离子注入设备。
产品特性 / Product characteristics
• 枚叶式
• 可对应薄片
• 非质量分离机的对比优点
1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备
2)相比过去约一半的低价
3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计
产品应用 / Product application
• Power Device等薄片基板工艺、IGBT工艺
产品参数 / Product parameters
• 基板尺寸：Max200mm
