哈默纳科行星减速机CSG-45-80-GH-J2PGE一般来说，互连材料淀积在硅片表面，然后有选择性地去除它，就形成了由光刻技术定义的电路图形。这种有选择性地去除材料的工艺过程，叫做刻蚀，在显影检查完后进行，刻蚀工艺的正确进行非常关键，否则芯片将不能工作。更重要的是，一旦材料被刻蚀去掉，在刻蚀过程中所犯的错误将难以纠正。刻蚀的要求取决于要制作的特征图形的类型，如合金复合层、多晶硅栅、隔离硅槽或介质通孔。

哈默纳科行星减速机CSG-45-80-GH-J2PGE光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻。负性光刻把与掩模版上图形相反的图形复制到硅片表面。正性光刻把与掩模版上相同的图形复制到硅片上。这两种基本工艺的主要区别在于所用光刻胶的种类不同。光刻工艺过程包括8个基本步骤：气相成底模、旋转涂胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘培、显影、坚膜烘培、显影检查。

光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。这些结构首先以图形形式制作在称为掩模版的石英膜版上，然后用紫外光透过掩模版把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上。芯片大批量生产工艺中的光刻以紫外光刻为主。掩模板制作也使用光刻工艺，但是，通常使用电子束、离子束进行曝光。

 然后用一种化学刻蚀工艺把薄膜图形成像在下面的硅片 上，或者被送到离子注入工作区来完成硅片上图形区中可选择的掺杂。转移到硅片上的各种各样的图形确定了器件的众多特征，例如：通孔、器件各层间必要的金属互连线以及硅掺杂区。从物理上说，集成电路是由许许多多的半导体元器件组合而成的，对应在硅晶圆片上就是半导体、导体以及各种不同层上的隔离材料的集合。