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AD-230LP 等离子体沉积ALD
- 型号
- AD-230LP
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详细信息
1. 产品概述
AD-230LP是一种原子层沉积（ALD）系统，能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室，仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室，且不向大气开放反应室，因此能够实现薄膜沉积的优良再现性。
2. 设备用途/原理
氮化膜（AlN、SiN）的形成和低温形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。电子设备的闸门绝缘子。半导体、有机EL等的钝化膜。半导体激光器的反射面。在MEMS等3D结构上的沉积。石墨烯上的沉积。碳纳米管保护膜粉末涂层。
3. 设备特点
可以在原子层水平上实现均匀的层控制。可实现高纵横比结构的共形沉积。具有优良的平面内均匀性和再现性，实现了稳定的工艺。采用反应室结构，优化了原料的气路和气体流，抑制了粒子。通过采用电容耦合等离子体(CCP)系统，使反应室体积小化，缩短了气体吹扫时间，加快了一个循环的速度。
