激光干涉光刻机

激光干涉光刻机

 HIL系列激光干涉纳米光刻机具有突破性的强大功能，只需 要单次曝光即可在几分钟内制备大面积周期性纳米结构。其 最小特征尺寸可以低于50纳米。该系统是制作高品质、晶圆 级的纳米压印模板和纳米结构器件的理想选择。

最小线宽低于50纳米

多种一维/二维纳米图案

单次曝光实现晶圆级纳米结构

HIL 1000纳米光刻系统非常适用于高质量晶圆级纳米压印模板的制作，能满 足各种研发和量产的需求。同时，该系统在基于大面积纳米结构的器件设计开 发，尤其是在设计参数到试产验证的快速迭代环节中能发挥巨大的作用。

可选配特征尺寸调制模块：对特征尺寸进行可定制化的空间调制，可用于提 高结构尺寸均匀性或根据设计要求调节尺寸变化。

圆晶级曝光 标准配置的 HIL 1000 系统可以通过一次曝光实现在 3 英寸晶圆上 制造均匀的周期性纳米结构。通过选配升级，增加特征尺寸调制模 块还可以将曝光区域的最大面积扩展到 4 英寸，同时具备更好的线 宽均匀性。

高分辨率纳米图案 HIL 1000 系统能制备特征尺寸低于 50 nm 的纳米结构。其加工出 的超高深宽比的光刻胶矩形截面非常有助于后续的刻蚀和沉积等加 工工艺。

快速光路重构 HIL 1000 系统配备的快速光路重构模块和高精度工件台有助于制 造具有不同周期和几何形状的纳米图案，包括一维线栅和纳米点、 孔、棒、棋盘格等二维阵列。

特征尺寸调制 HIL 1000 系统可以选配特征尺寸调制模块。该模块通过精密调制 纳米结构的占空比，可提高单次曝光区域内的纳米图案均匀性，扩 大单次曝光的区域，同时也可用于实现特定设计的特征尺寸的晶圆 级空间调制。

激光干涉光刻（也称全息光刻）是一种无需掩膜的光刻技术， 可以实现以高通量的方式大面积制造周期性纳米结构。 在传 统的干涉光刻系统的配置中，相干光源通常被分成两个子光 束，并以一定角度形成干涉条纹，通过投射到涂有光刻胶的 晶圆表面来制造周期性纳米结构。干涉图案的周期可由公式  Ʌ=λ/2sinθ 推算，其中 λ 是光源的波长，θ 是两个子光束形 成的夹角的一半。