真空吸盘可绕Z轴旋转，喷嘴可沿X、Y、Z移动，国产谐波减速机厂家CSF-25-160-2A-GR围绕Z旋转。喷嘴沿硅片径向分滴光刻胶，这样光刻胶就可以均匀喷涂在硅片表面上。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。国产谐波减速机厂家CSF-25-160-2A-GR边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能中“背面EBR”装置为边缘光刻胶的去除装置。

软烘的目的是去掉光刻胶中的溶剂、增强光刻胶的粘附性、释放旋转涂胶产生的内应力、改善线宽控制、防止光刻胶粘附到其他器件上。软烘在真空热板上进行

一般来说，互连材料淀积在硅片表面，然后有选择性地去除它，就形成了由光刻技术定义的电路图形。这种有选择性地去除材料的工艺过程，叫做刻蚀，在显影检查完后进行，刻蚀工艺的正确进行非常关键，否则芯片将不能工作。更重要的是，一旦材料被刻蚀去掉，在刻蚀过程中所犯的错误将难以纠正。刻蚀的要求取决于要制作的特征图形的类型，如合金复合层、多晶硅栅、隔离硅槽或介质通孔。

光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻。负性光刻把与掩模版上图形相反的图形复制到硅片表面。正性光刻把与掩模版上相同的图形复制到硅片上。这两种基本工艺的主要区别在于所用光刻胶的种类不同。光刻工艺过程包括8个基本步骤：气相成底模、旋转涂胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘培、显影、坚膜烘培、显影检查。