负载锁定等离子体CVD设备CC-200

特征

• 27.12MHz高密度等离子工艺

• SiH ₄型：SiO ₂、SiNx、SiON、a-Si、TEOS 型：可提供 SiO ₂薄膜

• 可使用CF ₄ +O _{2等离子体清洁腔室}

• 与有机EL低温成膜用加热器兼容

• 通过托盘传输支持各种尺寸的电路板

• 真空箱允许在 C 系列单元之间进行间接连续处理（溅射：CS-200，蒸发：CV-200）。

目的

• 功率器件

• LED、LD、高速器件等相关化合物

• 有机EL开发

• 太阳能电池开发

• 微机电系统

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